Ge基板上HfO2膜の物理的,電気的性質に及ぼすNH3表面熱処理の効果

WU N; ZHANG Q; ZHU C; YEO C C; CHIN A; KWONG D-L; DU A Y; TUNG C H; BALASUBRAMANIAN N

文献

J-GLOBAL ID：200902205419305068 整理番号：04A0402798

Ge基板上HfO₂膜の物理的,電気的性質に及ぼすNH₃表面熱処理の効果

Effect of surface NH₃ anneal on the physical and electrical properties of HfO₂ films on Ge substrate

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巻： 84 号： 19 ページ： 3741-3743 発行年： 2004年05月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

有機金属化学気相成長法によってGe基板上にHfO2...

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酸化物薄膜 , 金属-絶縁体-半導体構造

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