高感度,無標識バイオセンシングのためのナノワイヤー場-効果トランジスターの製作

KUDO Takashi; KASAMA Toshihiro; IKEDA Takeshi; HATA Yumehiro; TOKONAMI Shiho; YOKOYAMA Shin; KIKKAWA Takamaro; SUNAMI Hideo; ISHIKAWA Tomohiro; SUZUKI Masato; OKUYAMA Kiyoshi; TABEI Tetsuo; OHKURA Kensaku; KAYABA Yasuhisa; TANUSHI Yuichiro; AMEMIYA Yoshiteru; CHO Yoshinori; MONZEN Tomomi; MURAKAMI Yuji; KURODA Akio; NAKAJIMA Anri

文献

J-GLOBAL ID：200902205587284823 整理番号：09A0713557

高感度,無標識バイオセンシングのためのナノワイヤー場-効果トランジスターの製作

Fabrication of Si Nanowire Field-Effect Transistor for Highly Sensitive, Label-Free Biosensing

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資料名：
巻： 48 号： 6,Issue 2 ページ： 06FJ04.1-06FJ04.4 発行年： 2009年06月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

筆者らは,目標生体分子の高感度検出のためにSi₃N₄ゲート絶縁体をもつシリコン・ナノワイヤー場-効果トランジスター(SiNW FET)に基づいたバイオセンサーを製作した。製作されたSiNW FETは,溶液のpHに対応してゲート表面に沿って流れる溶液中の電荷密度を検出するイオン感知FETとして働いた。SiNW FETはまた,溶液中の荷電したタンパク分子を検出し,筆者らの装置は高感度,無標識バイオセンサーに使用できることを示唆した。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ , 分析機器

引用文献 (15件)：

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