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J-GLOBAL ID：200902205639362844   整理番号：09A0771202

酸化SiC表面上へのグラフェン状構造の成長

Growth of Graphene-Like Structures on an Oxidized SiC Surface

著者 (8件)： LU Weijie (Fisk Univ., TN, USA) ,  MITCHEL W.C. (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  BOECKL J.J. (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  CRENSHAW Tiffany R. (Fisk Univ., TN, USA) ,  COLLINS W.E. (Fisk Univ., TN, USA) ,  CHANG R.P.H. (Northwestern Univ., IL, USA) ,  FELDMAN L.C. (Rutgers Univ., NJ, USA) ,  FELDMAN L.C. (Vanderbilt Univ., TN, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 38  号： 6  ページ： 731-736  発行年： 2009年06月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの製作法には剥離法とエピタキシャル法がある。エピタキシャル法の方が量産に適しているが,超高真空,Siフラックスによる注意深い表面クリーニング,1350~1650°Cの高温を要する。本稿ではSiO₂/SiC(0001)を10^-5Torrにおいて1350°CでアニールするとSiO₂が蒸発し,2層のグラフェン状の構造をSiC上に得た。このグラフェン製作法は超高真空を必要としない。SiC表面がSiO₂で保護されているとき残存酸素はSiCと直接反応できず,CNT成長に必要なナノキャップを形成できない。SiO₂が蒸発した後ナノキャップの形成はさらに妨げられるので,黒鉛層はさらにグラファイト化し欠陥が少なくなる。そしてグラフェンがSiC表面に1350~1400°Cで形成される。

シソーラス用語： *グラファイト ,  炭素 ,  カーボンナノチューブ ,  *炭化ケイ素 ,  表面構造 ,  エピタクシー ,  真空 ,  二酸化ケイ素 ,  Ramanスペクトル ,  X線光電子分光法 ,  蒸発 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： SiC

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化 ,  SiC ,  グラフェン ,  成長