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J-GLOBAL ID：200902206162148108   整理番号：08A0155209

金属-ゲルマニウム-金属光検出器(MGM-PD)へのドーパント偏析の応用とその暗電流抑制機構

Application of dopant segregation to metal-germanium-metal photodetectors and its dark current suppression mechanism

著者 (8件)： ZANG H. (Inst. of Microelectronics, A*STAR, 11 Sci. Park Road, Singapore 117685 Singapore) ,  LEE S. J. (Silicon Nano Devices Lab., ECE Dep., National Univ. of Singapore, Singapore 117576, SGP) ,  LOH W. Y. (Inst. of Microelectronics, A*STAR, 11 Sci. Park Road, Singapore 117685 Singapore) ,  WANG J. (Inst. of Microelectronics, A*STAR, 11 Sci. Park Road, Singapore 117685 Singapore) ,  YU M. B. (Inst. of Microelectronics, A*STAR, 11 Sci. Park Road, Singapore 117685 Singapore) ,  LO G. Q. (Inst. of Microelectronics, A*STAR, 11 Sci. Park Road, Singapore 117685 Singapore) ,  KWONG D. L. (Inst. of Microelectronics, A*STAR, 11 Sci. Park Road, Singapore 117685 Singapore) ,  CHO B. J. (Silicon Nano Devices Lab., ECE Dep., National Univ. of Singapore, Singapore 117576, SGP)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 5  ページ： 051110  発行年： 2008年02月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-ゲルマニウム-金属光検出器の暗電流を抑えるためにドーパント偏析技術を適用しその機構を調べた。種々のドーパント偏析法を用いて光検出器を設計,作製,特性化した。NiGe電極中に独立に偏析させたn型及びp型ドーパントを持つ非対称MGM-PDは暗電流と応答の観点から最適方式であった。暗電流は-1Vにおいて10^-6Aで,ドーパント偏析無しの場合の二桁から三桁小さかった。NiGe障壁中のn型ドーパント(As)偏析は正孔Schottky障壁の高さを0.5eVに高め,従って暗電流抑制において非常に重要な役割をした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  *ドーパント ,  偏析 ,  *暗電流 ,  *光検出器 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  Schottky障壁

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲルマニウム ,  光検出器 ,  Pd ,  ドーパント偏析 ,  応用 ,  暗電流