文献

J-GLOBAL ID：200902206242898612   整理番号：08A0711114

ステップアンドフラッシュインプリントリソグラフィーによる22nmノードパターニングのための線幅粗さの最小化

Minimizing Linewidth Roughness for 22-nm node Patterning with Step-and-Flash Imprint Lithography

著者 (6件)： SCHMID Gerard M. (Molecular Imprints, Inc., TX, USA) ,  KHUSNATDINOV Niyaz (Molecular Imprints, Inc., TX, USA) ,  BROOKS Cynthia B. (Molecular Imprints, Inc., TX, USA) ,  LABRAKE Dwayne (Molecular Imprints, Inc., TX, USA) ,  THOMPSON Ecron (Molecular Imprints, Inc., TX, USA) ,  RESNICK Douglas J. (Molecular Imprints, Inc., TX, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 6921  号： Pt.1  ページ： 692109.1-692109.11  発行年： 2008年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： デバイス性能を決める決定要因である線幅粗さ(LWR)をステップアンドフラッシュインプリントリソグラフィー(S-FIL)の特性を評価した。非化学増幅電子ビームレジストであるZEP520Aを用いることで,分解能とLWR性能の大幅改善が達成された。LWRの特性をSOI基板上でのインプリント後とエッチ後のマスク(テンプレート)に関して調べ,LWR値の低いことが観測された。22nm半ピッチパターニングで2.6nmの3σLWR値がルーチン的に得られた。

シソーラス用語： *リソグラフィー ,  *パターン形成 ,  *電子線レジスト ,  分解能 ,  *表面粗さ ,  マスク ,  標準 ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： *ステップアンドフラッシュインプリントリソグラフィー ,  国際半導体技術ロードマップ ,  ラインエッジ粗さ ,  ライン幅粗さ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ステップアンドフラッシュインプリントリソグラフィー ,  ノード ,  パターニング ,  線幅粗さ ,  最小化