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J-GLOBAL ID：200902206396147652   整理番号：08A0942355

(411)A GaAs基板上にMBE成長したGaAs/GaAsBi超格子

著者 (6件)： 石川智貴 (愛大 大学院) ,  山口大輔 (愛大 大学院) ,  毛利如良 (愛大 大学院) ,  松木豊和 (愛大 大学院) ,  今津晋二郎 (愛大 大学院) ,  下村哲 (愛大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 1  ページ： 284  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 基板 ,  *MBE成長 ,  *混晶半導体 ,  X線回折 ,  化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ビスマス ,  ヘテロ接合 ,  *人工超格子 ,  半導体薄膜

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs基板 ,  MBE成長 ,  GaAs ,  GaAsBi ,  超格子