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J-GLOBAL ID：200902206415276604   整理番号：03A0353914

臨界密度以上のプラズマにおけるMeV電子輸送に起因する異常抵抗率

Anomalous Resistivity Resulting from MeV-Electron Transport in Overdense Plasma

著者 (4件)： SENTOKU Y (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MIMA K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KAW P (Inst. Plasma Res., Gandhinagar, IND) ,  NISHIKAWA K (Kinki Univ., Hiroshima, JPN)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 90  号： 15  ページ： 155001.1-155001.4  発行年： 2003年04月18日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 臨界密度以上のプラズマにおけるレーザ生成高温電子の輸送を3次...

シソーラス用語： *レーザプラズマ ,...
準シソーラス用語： 高温電子

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分類 (1件)： プラズマ中の電磁波  (BJ02032F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 臨界密度 ,  プラズマ ,  電子輸送 ,  起因 ,  抵抗率