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J-GLOBAL ID：200902206504379956   整理番号：07A0441178

MOCVDによるa面GaNの2段階エピタキシャル選択横方向被覆成長

Two-step epitaxial lateral overgrowth of a-plane GaN by MOCVD

著者 (7件)： NI X. (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  OEZGUER U. (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  MORKOC H. (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  BASKI A.A. (Virginia Commonwealth Univ., Virginia) ,  LILIENTAL-WEBER Z. (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  EVERITT H.O. (Duke Univ., North Carolina) ,  EVERITT H.O. (U.S. Army Aviation & Missile Res., Alabama)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 6473  ページ： 647303.1-647303.7  発行年： 2007年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相成長法によりエピタキシャル選択横方向被覆成長(E...

シソーラス用語： *MOCVD ,...
準シソーラス用語： 電子線回折

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOCVD ,  GaN ,  段階 ,  エピタキシャル ,  横方向被覆成長