文献

J-GLOBAL ID：200902206618827304   整理番号：08A0557468

浮動ゲートを有するポリ(3-ヘキシルチオフェン)電界効果トランジスター中でのメモリー効果

Memory Effects in Poly(3-hexylthiophene) Field-Effect Transistors with Floating Gate

著者 (4件)： KANETO Keiichi (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  MORI Keiko (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  MORITA Takeomi (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  TAKASHIMA Wataru (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 2 Issue 2  ページ： 1382-1384  発行年： 2008年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリ(3-ヘキシルチオフェン),P3HT,およびポリイミド(PI)絶縁膜を用いて,有機メモリーデバイスを作製した。デバイスの構造は,AlあるいはCaの付加的な金属浮動ゲートを有する電界効果トランジスターの構造と類似であった。浮動ゲートの有無でセル間の電流-電圧特性を比較することによってメモリー効果を調べた。ドレイン電流に対して1500-2000sの範囲で減衰時間を有する浮動ゲートを持つセル中で光照射によってメモリー効果が誘発されるが,浮動ゲートなしのセル中では誘発されないことがわかった。ゲート電圧が消された後でのドレイン電流の減衰時間中でゲート-誘発メモリー効果が確認された。結果をゲート電圧が浮動ゲートでの電子のトラップを増強させるモデルを用いて議論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： フローティングゲート ,  *ポリヘキシルチオフェン ,  有機半導体 ,  FET【トランジスタ】 ,  記憶効果 ,  ポリイミド ,  絶縁膜 ,  *記憶素子 ,  アルミニウム ,  カルシウム ,  電流電圧特性 ,  ドレイン【半導体】 ,  電流 ,  減衰時間 ,  光照射 ,  ゲート【半導体】 ,  電圧 ,  捕獲中心

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

引用文献 (16件)：

• Y. Noguchi, T. Sekitani, and T. Someya: Appl. Phys. Lett.89(2006)253507.
• H. Sirringhaus, T. Kawase, F. H. Fiend, T. Simoda, M. Inbasekaran, W. Wu, and E. P. Woo: Science 290(2000)2123.
• K. Kaneto, W. Lim, W. Takashima, T. Endo, and M. Rikukawa: Jpn. J. Appl. Phys.39(2000) L872.
• S. Ogawa, Y. Kimura, H. Ishii, and M. Niwano: Jpn. J. Appl. Phys.42(2003) L275.
• C. Adachi, T. Tsutsui, and S. Saito: Appl. Phys. Lett.55(1989)1489.

タイトルに関連する用語 (4件)： 浮動ゲート ,  3-ヘキシルチオフェン ,  電界効果トランジスター ,  メモリー効果