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J-GLOBAL ID：200902206637313826   整理番号：08A0251916

有機金属気相エピタキシャル法によってm-サファイア上に成長させたM-面GaN

M-plane GaN grown on m-sapphire by metalorganic vapor phase epitaxy

著者 (2件)： ARMITAGE R. (Matsushita Electric Works, Ltd., 1048 Kadoma, Osaka 571-8686, JPN) ,  HIRAYAMA H. (The Inst. of Physical and Chemical Res. (RIKEN), 2-1 Hirosawa, Wako-shi, Saitama 351-0198, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 9  ページ： 092121  発行年： 2008年03月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温に保たれたAlNの核生成層を用いて,有機金属気相エピタキシャル法によってm-サファイア上にGaN層を成長させた。核生成層を堆積する前の基板の窒化状態やアニーリング処理に依存して,堆積されたGaN層の結晶方位は(11-22),あるいは(1-100)(m-面)であることが分かった。適当に制御された条件下では,単一のm-面を有するGaNのエピタキシャル層が再現性良く堆積されることがX線回折によって確認された。エピタキシャル層はGaNのa軸がサファイアのc軸に平行になるように面内で90°回転することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOCVD ,  エピタクシー ,  サファイア ,  *窒化ガリウム ,  低温 ,  窒化アルミニウム ,  核形成 ,  基板 ,  窒化 ,  焼なまし ,  結晶方位 ,  再現性 ,  X線回折

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機金属 ,  気相 ,  エピタキシャル ,  サファイア ,  成長 ,  GaN