組み合わせイオン注入システムの開発

文献

J-GLOBAL ID：200902206711002900 整理番号：03A0692724

Development of Combinatorial Ion Implantation System

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資料名：
巻： 42 号： 9A ページ： 5867-5868 発行年： 2003年09月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

試料上に照射する線量を連続的に変えることのできる組み合わせイ...

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半導体の放射線による構造と物性の変化 , 半導体の格子欠陥

引用文献 (5件)：

CAWSE, J. N. Experimental Design for Combinatorial and High Throughput Materials Development. 2002
Nisshin Electric. Model RD-200L
SASAKI, M. Nucl. Instrum. Methods B. 1989, 37/38, 469
KERN, W. Handbook of Semiconductor Wafer Cleaning Technology. 1993, 18
BEADLE, W. E. Quick Reference Manual for Silicon Integrated Circuit Technology. 1985, 7

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