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J-GLOBAL ID：200902207040820871   整理番号：06A0037174

LSI素子のCu/多孔質低誘電体(low-k)構造に関する化学機械平坦化プロセスの過程における応力解析

Stress Analyses during Chemical Mechanical Planarization Processing with Cu/Porous Low-k Structures of LSI Devices

著者 (7件)： KODERA Masako (Ebara Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUKUDA Akira (Ebara Res. Corp., Kanagawa, JPN) ,  MOCHIZUKI Yoshihiro (Ebara Res. Corp., Kanagawa, JPN) ,  HIYAMA Hirokuni (Ebara Res. Corp., Kanagawa, JPN) ,  TOKUSHIGE Katsuhiko (Ebara Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUKUNAGA Akira (Ebara Corp., Kanagawa, JPN) ,  TSUJIMURA Manabu (Ebara Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 12  ページ： 8401-8408  発行年： 2005年12月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多孔質の低誘電体(low-k)材料は45-nm-ノードのLS...

シソーラス用語： LSI【IC】 ,...
準シソーラス用語： 低k誘電体

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分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (9件)：

• 1) International Technology Roadmap for Semiconductors, 2003 Edition, Interconnect, http://public.itrs.net/, Table 81 (2003).
• 2) H. Shibata: Proc. 2004 Japan Society Precision Engineering Autumn Conf., 2004, p. 483 [in Japanese].
• 3) M. Nagai, K. Maekawa, M. Iwashita, M. Muramatsu, K. Kubota, K. Hinata, T. Kokubo, A. Shiota, M. Hattori, H. Nagano, K. Tokushige, M. Kodera and M. Mishima: Proc. 2004 Int. Interconnect Technology Conf., 2004, p. 145.
• 4) M. Kodera, S. Uekusa, H. Nagano, K. Tokushige, M. Tsujimura, A. Fukuda, N. Mochizuki and H. Hiyama: Abstr. 206th Joint Meet. Electrochemical Society, Oct. 6, 2004, Hawaii, U.S.A. [CD-ROM].
• 5) M. Kodera, S. Uekusa, H. Nagano, K. Tokushige, A. Fukunaga, M. Tsujimura, A. Fukuda, N. Mochizuki, H. Hiyama, K. Maekawa and H. Nagai: to be published in Proc. 206th Joint Meet. Electrochemical Society, Oct., 2004, Honolulu, U.S.A.

タイトルに関連する用語 (8件)： LSI ,  Cu ,  多孔質 ,  誘電体 ,  化学機械平坦化 ,  プロセス ,  過程 ,  応力解析