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J-GLOBAL ID：200902207186448206   整理番号：03A0506057

InAs/GaAs(001)成長過程中のIn原子の動力学

Dynamics of In atom during InAs/GaAs(001) growth process

著者 (3件)： ISHII A (Tottori Univ., Tottori, JPN) ,  FUJIWARA K (Tottori Univ., Tottori, JPN) ,  AISAKA T (Tottori Univ., Tottori, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 216  号： 1/4  ページ： 478-482  発行年： 2003年06月30日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs(001)上の格子不整合InAsのMBE成長によるG...

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs ,  GaAs ,  成長過程 ,  原子 ,  動力学