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J-GLOBAL ID：200902207229184313   整理番号：09A0531010

Co₂MnSiを電極とする微小二重トンネル接合の作製と評価

Fabrication and Characterization of Micro-fabricated Double Magnetic Tunnel Junctions Using Co₂MnSi Electrodes

著者 (3件)： 大平祐介 (東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻) ,  大兼幹彦 (東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻) ,  安藤康夫 (東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻)
資料名： Journal of the Magnetics Society of Japan  (Journal of the Magnetics Society of Japan)
巻： 33  号： 3  ページ： 262-265 (J-STAGE)  発行年： 2009年 
JST資料番号： Z0944A  ISSN： 1882-2924  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Co基フルホイスラー合金Co₂MnSi(CMS)はハーフメタル強磁性体である。CMSを用いた強磁性トンネル接合(MTJ)では大きなトンネル磁気抵抗(TMR)比とそのバイアス電圧依存性が観測されている。著者らは,このTMR比のバイアス電圧依存性を利用したスピントランジスタを考案している。その基本構造は二重トンネル接合であり,その実現には良質なCMS電極を有する二重トンネル接合の作製が不可欠である。本研究では,まず単一障壁のCMS-MTJを成膜し,その後,電子線リソグラフィーで作製した金属線ナノ細線をマスクとする独自の微細加工を行うことで直列に接続された二つの微小MTJおよびゲート電極からなるスピントランジスタの基本構造を作製した。作製した素子は室温で30~40%,6Kで最大320%のTMR比を示した。また,TMRが半減するバイアス電圧は二重トンネル接合では単一接合の場合の約2倍となった。良質なナノメータサイズの二重トンネル接合が再現性良く作製できた。

シソーラス用語： *トンネル接合 ,  コバルト合金 ,  マンガン合金 ,  ケイ素合金 ,  ホイスラー合金 ,  強磁性体 ,  *トランジスタ ,  電子スピン ,  電子ビームリソグラフィー ,  微細加工 ,  酸化アルミニウム ,  ゲート【半導体】 ,  金属線 ,  金属細線 ,  完全スピン偏極強磁性体
準シソーラス用語： *MTJ ,  ハーフメタル ,  *スピントランジスタ

分類 (2件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (8件)：

• 1) S. Ishida, S. Fujii, S. Kashiwagi and S. Asano: J. Phys. Soc. Jpn. 64, 2152 (1995).
• 2) I. Galanakis, P. H. Dederichs and N. Papanikolaou: Phys. Rev. B, 66, 174429 (2002).
• 3) K. Inomata, S. Okamura, R. Goto, N. Tezuka, Jap. J. App. Phys: 42, L419 (2003).
• 4) T. Block, C. Felser, G. Jakob, J. Ensling, B. Muhling, P. Gu tlich and R.J. Cava: Journal of Solid State Chemistry, 176, 646 (2003).
• 5) Y. Sakuraba, M. Hattori, M. Oogane, H. Kubota, Y. Ando, H. Kato, A. Sakuma and T. Miyazaki: Appl. Phys. Lett. 88, 192508 (2006).

タイトルに関連する用語 (4件)： 微小 ,  トンネル接合 ,  作製 ,  評価