文献

J-GLOBAL ID：200902207363760053   整理番号：07A0272959

相変化ランダムアクセスメモリにおける化学量論Ge₂Sb₂Te₅の相変化挙動

Phase-Change Behavior of Stoichiometric Ge₂Sb₂Te₅ in Phase-Change Random Access Memory

著者 (6件)： PARK Jong-Bong (Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR) ,  PARK Gyeong-Su (Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR) ,  BAIK Hion-Suck (Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR) ,  LEE Jang-Ho (Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR) ,  JEONG Hongsik (Samsung Electronics Co., KOR) ,  KIM Kinam (Samsung Electronics Co., KOR)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 154  号： 3  ページ： H139-H141  発行年： 2007年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学量論組成の結晶質Ge₂Sb<sub...

シソーラス用語： RAM【メモリ】 ,...
準シソーラス用語： *相変化メモリ

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A0272959&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0285A") }}

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 相変化 ,  ランダムアクセスメモリ ,  化学量論 ,  挙動