文献

J-GLOBAL ID：200902207932814728   整理番号：09A1243624

場構成可能イオンドープ高分子に基いたアナログメモリキャパシタ

Analog memory capacitor based on field-configurable ion-doped polymers

著者 (6件)： LAI Qianxi (Dep. of Mechanical and Aerospace Engineering, California NanoSystems Inst., Univ. of California, Los Angeles ...) ,  ZHANG Lei (Dep. of Mechanical and Aerospace Engineering, California NanoSystems Inst., Univ. of California, Los Angeles ...) ,  LI Zhiyong (Information and Quantum System Lab, Hewlett-Packard Laboratories, 1501 Page Mill Road, Palo Alto, California 94304, USA) ,  STICKLE William F. (Advanced Materials Process Lab and Advanced Diagnostic Lab, Hewlett-Packard Co., Corvallis, Oregon 97330, USA) ,  WILLIAMS R. Stanley (Information and Quantum System Lab, Hewlett-Packard Laboratories, 1501 Page Mill Road, Palo Alto, California 94304, USA) ,  CHEN Yong (Dep. of Mechanical and Aerospace Engineering, California NanoSystems Inst., Univ. of California, Los Angeles ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 95  号： 21  ページ： 213503  発行年： 2009年11月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 場構成可能イオンドープ高分子に基いたアナログメモリキャパシタを報告した。素子を,低電圧(<5V)パルスのによりアナログ容量に動的及び可逆的にプログラムできた。素子を特定の値にプログラムした後,その容量は不揮発性にとどまった。場構成可能容量を,高分子におけるイオンドーパント濃度の修正に帰着した。メモリキャパシタは,アナログメモリ,非線形アナログ,及び神経形態学的回路に使用できるであろう。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 記憶装置 ,  薄膜コンデンサ ,  *高分子 ,  容量 ,  ドーパント ,  濃度
準シソーラス用語： *アナログメモリ ,  *薄膜キャパシタ ,  *イオンドーピング ,  *アナログ容量 ,  *不揮発性

分類 (4件)： LCR部品  (NA05030D) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 場 ,  イオン ,  ドープ ,  高分子