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J-GLOBAL ID：200902208054521814   整理番号：07A0022101

600V耐圧AlGaN/GaN HFETの開発

Development of 600V AlGaN/GaN HFET

著者 (2件)： 柳原将貴 (サンケン電気) ,  馬場良平 (サンケン電気)
資料名： サンケン技報  (Sanken Technical Report)
巻： 38  号： 1  ページ： 35-38  発行年： 2006年12月01日 
JST資料番号： S0481A  ISSN： 0285-9815  CODEN： STEQDU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si基板上のAlGaN/GaN HFET(Hetero st...

シソーラス用語： *半導体材料 ,...
準シソーラス用語： AlGaN ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (2件)：

• 李, 町田: サンケン技報, Vol.36, No.1, p. 11-14,(2004)
• 鈴木, 町田, 柳原, 岩上, 江原, 馬場, 後藤, 岩渕, 大塚: 第53回応用物理学会, 24a-ZE-20 (2006春)

タイトルに関連する用語 (5件)： 耐圧 ,  AlGaN ,  GaN ,  HFET ,  開発