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J-GLOBAL ID：200902208089746029   整理番号：08A0392305

α-SiC基板上における3C-SiCの気液固相成長 1 成長機構

Vapor-Liquid-Solid Growth of 3C-SiC on α-SiC Substrates. 1. Growth Mechanism

著者 (6件)： SOUEIDAN Maher (Univ. Claude Bernard Lyon 1, Villeurbanne, FRA) ,  SOUEIDAN Maher (Lebanese Atomic Energy Commission, Beirut, LBN) ,  FERRO Gabriel (Univ. Claude Bernard Lyon 1, Villeurbanne, FRA) ,  KIM-HAK Olivier (Univ. Claude Bernard Lyon 1, Villeurbanne, FRA) ,  CAUWET Francois (Univ. Claude Bernard Lyon 1, Villeurbanne, FRA) ,  NSOULI Bilal (Lebanese Atomic Energy Commission, Beirut, LBN)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 8  号： 3  ページ： 1044-1050  発行年： 2008年03月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： α-炭化ケイ素の4H-および6H-SiC(0001)面,Si面,C面上におけるSi-Ge共融混合物とプロパン/H₂/Arガス(炭素源)の反応により,3C-SiC炭化ケイ素層を成長させた。原子間力顕微鏡,電子後方散乱回折(EBSD)によりキャラクタリゼーションを行った。基板の種類および温度によりon-axis,off-axis,双晶などのドメインが観測された。高温ではホモエピタクシー,低温では双晶が生成する。3C-SiCおよびホモエピタクシ相の成長機構を考察した。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  単結晶 ,  基板 ,  *結晶成長 ,  ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  水素 ,  アルゴン ,  *気液固反応 ,  原子間力顕微鏡 ,  表層構造 ,  双晶 ,  エピタクシー ,  結晶面 ,  分域 ,  反応機構 ,  アルカン
準シソーラス用語： 共融混合物

分類 (4件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の無触媒反応  (CB06070U) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  非金属化合物  (CD01070R)

物質索引 (1件)： プロパン

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC基板 ,  3C-SiC ,  気 ,  固相成長 ,  成長