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J-GLOBAL ID：200902208137113556   整理番号：09A0904371

閃光電球アニーリングによるアモルファスシリコン薄膜の爆発的結晶化

Explosive crystallization of amorphous silicon films by flash lamp annealing

著者 (5件)： OHDAIRA Keisuke (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN) ,  FUJIWARA Tomoko (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN) ,  ENDO Yohei (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN) ,  NISHIZAKI Shogo (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN) ,  MATSUMURA Hideki (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 106  号： 4  ページ： 044907  発行年： 2009年08月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス基板に蒸着したマイクロメータ厚のアモルファスSi(a-Si)薄膜では閃光電球アニーリング時に爆発的結晶化(EC)が起こる。閃光電球による付加的加熱のためにECはa-Si薄膜の端部で始まる。これに続いてm/s台の速度での横方向結晶化が起こり,その後に数百個のnm台の結晶粒を含んだ領域と10nmサイズの微結晶粒のみから成る領域が交互に現れる周期的微細構造が残る。高密度結晶粒の形成は爆発的固相核形成として解釈できるが,横方向に延びる数百個のナノメータサイズ結晶粒はおそらく爆発的液相エピタクシーによって形成されると考えられる。この現象は太陽電池用のポリSi厚膜の高スループット形成に適用できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  *半導体薄膜 ,  基板 ,  ガラス ,  *焼なまし ,  閃光電球 ,  *結晶化 ,  結晶粒 ,  微細構造 ,  Ramanスペクトル ,  粒度分布 ,  太陽電池

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 閃光電球 ,  アニーリング ,  アモルファス ,  シリコン薄膜 ,  爆発 ,  結晶化