極めて薄い有機半導体層における電場効果ドーピング現象のよく知られたしきい振舞いからの起こりうるずれ

文献

J-GLOBAL ID：200902208263107766 整理番号：04A0442471

Possible Deviation from the well-known Threshold Behavior of Field-Effect Doping Phenomenon in Extremely Thin Organic Semiconductor Layer

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著者 (1件)：
資料名：
巻： 43 号： 5A ページ： 2735-2736 発行年： 2004年05月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

金属/絶縁体/半導体/金属という4層モデルでの電場効果ドーピ...

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金属-絶縁体-半導体構造 , 有機化合物の薄膜

引用文献 (10件)：

1) Proc. Int. Conf. Synthetic Metals, Shanghai 2002, Synth. Met. 135–137 (2003).
2) G. Horowitz and P. Delannoy: J. Appl. Phys. 70 (1991) 469.
3) The other branch corresponds to the 0≤γ<<γ_th case and is expressed as ψ=\\\\frac12-2τlog\\\\left|\\\\fracpk_5cos\\\\frack_5(z+k_2)2\\\\right|.
4) This value corresponds to the dielectric constant of general hydrocarbons.
5) This value corresponds to the electronic absorption observed for Langmuir–Blodgett films of octadecyltetracyanoquinodimethane (C₁₈TCNQ) reported in ref. \\\\citenrf7.

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