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J-GLOBAL ID:200902208275700543   整理番号:08A0549040

超高輝度および高スピン偏極光電陰極

Super-High Brightness and High-Spin-Polarization Photocathode
著者 (16件):
資料名:
巻:号:ページ: 045002.1-045002.3  発行年: 2008年04月25日 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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新規に開発された透過型光電陰極を用いて,超高輝度[(1.3±0.5)×107A・cm-2・sr-1]の電子ビームが得られた。さらに,スピン偏極が90%の高さであった。輝度および偏極を大きく増大させるためにGaP基板上でGaAs-GaAsP歪超格子に基づく透過型光電陰極を作製した。この系において,レーザービームが透明GaP基体によって導入された。ビームは短い焦点距離のレンズで超格子活性層上で集束された。小面積中で励起電子が生成され,表面から抽出された。電子生成面積の収縮によって輝度が改善された。さらに,GaAs層がGaP基体とGaAsP緩衝層間に挿入されGaAsPバッファ層中での歪み緩和プロセスを制御した。この歪制御の設計が透過型光電陰極中での高偏極(90%)を得るためのキーであった。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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光電子放出  ,  光電変換管 
引用文献 (9件):
  • OMORI, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1994, 33, 5676
  • SAKA, T. Surf. Sci. 2000, 454, 1042
  • NISHITANI, T. J. Appl. Phys. 2005, 97, 094907
  • SAKA, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1993, 32, L1837
  • YU, P. Proc. 17th Int. Spin Physics Symp., 2006. 2006, 1077
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