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J-GLOBAL ID：200902208275700543   整理番号：08A0549040

超高輝度および高スピン偏極光電陰極

Super-High Brightness and High-Spin-Polarization Photocathode

著者 (16件)： JIN Xiuguang (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YAMAMOTO Naoto (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  NAKAGAWA Yasuhide (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MANO Atsushi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KATO Takanori (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TANIOKU Masatoshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  UJIHARA Toru (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKEDA Yoshikazu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OKUMI Shoji (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YAMAMOTO Masahiro (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  NAKANISHI Tsutomu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SAKA Takashi (Daido Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  HORINAKA Hiromichi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  KATO Toshihiro (Daido Steel Co., Ltd., Nagoya, JPN) ,  YASUE Tsuneo (Osaka Electro-Communication Univ., Osaka, JPN) ,  KOSHIKAWA Takanori (Osaka Electro-Communication Univ., Osaka, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 1  号： 4  ページ： 045002.1-045002.3  発行年： 2008年04月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新規に開発された透過型光電陰極を用いて,超高輝度[(1.3±0.5)×10⁷A・cm^-2・sr^-1]の電子ビームが得られた。さらに,スピン偏極が90%の高さであった。輝度および偏極を大きく増大させるためにGaP基板上でGaAs-GaAsP歪超格子に基づく透過型光電陰極を作製した。この系において,レーザービームが透明GaP基体によって導入された。ビームは短い焦点距離のレンズで超格子活性層上で集束された。小面積中で励起電子が生成され,表面から抽出された。電子生成面積の収縮によって輝度が改善された。さらに,GaAs層がGaP基体とGaAsP緩衝層間に挿入されGaAsPバッファ層中での歪み緩和プロセスを制御した。この歪制御の設計が透過型光電陰極中での高偏極(90%)を得るためのキーであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *スピン分極 ,  *光電陰極 ,  輝度 ,  リン化ガリウム ,  ヒ化ガリウム ,  ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  リン化物 ,  歪層超格子 ,  化合物半導体 ,  レーザ照射 ,  レンズ ,  集光 ,  面積 ,  バッファ層 ,  光電子放出
準シソーラス用語： ヒ化リン化ガリウム

分類 (2件)： 光電子放出  (BM09030D) ,  光電変換管  (NC02030O)

引用文献 (9件)：

• OMORI, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1994, 33, 5676
• SAKA, T. Surf. Sci. 2000, 454, 1042
• NISHITANI, T. J. Appl. Phys. 2005, 97, 094907
• SAKA, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1993, 32, L1837
• YU, P. Proc. 17th Int. Spin Physics Symp., 2006. 2006, 1077

タイトルに関連する用語 (3件)： 高輝度 ,  スピン偏極 ,  光電陰極