竹田美和

タケダヨシカズ | Takeda Yoshikazu

所属機関・部署：
職名：特別フェロー
ホームページURL (1件)： http://www.astf-kha.jp/synchrotron/

研究分野 (6件)：電子デバイス、電子機器 , 電気電子材料工学 , 光工学、光量子科学 , 薄膜、表面界面物性 , 結晶工学 , 応用物性

研究キーワード (5件)：放射光 , 特性評価 , 結晶成長 , 化合物半導体 , 半導体工学

競争的資金等の研究課題 (6件)：

1997 - 半導体偏極電子源
1997 - Semiconductor spin-plarized photocathodes
半導体ヘテロ界面の放射光による評価
新しい半導体の成長
Characterization of Semiconductor Heterointerfaces by Synchrotron Radiation

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論文 (232件)：

Lei Yu, Weishi Wan, Takanori Koshikawa, Meng Li, Xiaodong Yang, Changxi Zheng, Masahiko Suzuki, Tsuneo Yasue, Xiuguang Jin, Yoshikazu Takeda, et al. Aberration corrected spin polarized low energy electron microscope. Ultramicroscopy. 2020. 216. 113017-113017
M. Tabuchi, K. Fujita, J. Tsuchiya, Y. Fujiwara, Y. Takeda. Thermal diffusion of Er atoms δ-doped in InP. Applied Surface Science. 2020. 130-132. 393-397
Y. Nonogaki, T. Iguchi, S. Fuchi, Y. Fujiwara, Y. Takeda. Nanometer-scale InAs islands grown on GaP (001) by organometallic vapor phase epitaxy. Applied Surface Science. 2020. 130-132. 724-728
Xiuguang Jin, Masao Suzuki, Tsuneo Yasue, Takanori Koshikawa, Yoshikazu Takeda. Recovery of quantum efficiency in spin-polarized photocathodes by atomic hydrogen cleaning. ULTRAMICROSCOPY. 2017. 183. 89-93
Guangxu Ju, Masao Tabuchi, Yoshikazu Takeda, Hiroshi Amano. Role of threading dislocations in strain relaxation during GaInN growth monitored by real-time X-ray reflectivity. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2017. 110. 26

MISC (178件)：

Guangxu Ju, Shingo Fuchi, Masao Tabuchi, Hiroshi Amanoa, Yoshikazu Takeda. Continuous in situ X-ray reflectivity investigation on epitaxial growth of InGaN by metalorganic vapor phase epitaxy (vol 407, pg 68, 2014). JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2015. 418. 185-185
桑原真人, 南保由人, 鮫島健介, 楠聡一郎, 齋藤晃, 宇治原徹, 浅野秀文, 竹田美和, 田中信夫. 28pAL-7 半導体光陰極を用いたTEMの空間コヒーレンス測定(28pAL X線・粒子線(電子線,陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン)). 日本物理学会講演概要集. 2014. 69. 1. 928-928
Takanori Koshikawa, Masahiko Suzuki, Tsuneo Yasue, Ernst Bauer, Tsutomu Nakanishi, Xiuguang Jin, Yoshikazu Takeda. Spin-polarized low energy electron microscopy. Journal of the Vacuum Society of Japan. 2014. 57. 10. 382-390
楠聡一郎, 桑原真人, 南保由人, 齋藤晃, 宇治原徹, 浅野秀文, 竹田美和, 田中信夫. 26aKE-5 スピン偏極透過電子顕微鏡における電子線空間干渉性(X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン)). 日本物理学会講演概要集. 2013. 68. 2. 858-858
Takashi Saka, Yoichi Ishida, Masataka Kanda, Xiuguang Jin, Yuya Maeda, Shingo Fuchi, Toru Ujihara, Yoshikazu Takeda, Tetsuya Matsuyama, Hiromichi Horinaka, et al. Strain of GaAs/GaAsP superlattices used as spin-polarized electron photocathodes, determined by X-ray diffraction. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 2010. 8. 125-130

特許 (8件)：

電子移動可能体形成材料、電子移動可能体形成方法、及び電子移動可能体
発光素子用ErドープGaAs結晶及びその製造方法
発光素子用希土類元素添加半導体積層構造、それを用いた発光ダイオード、半導体レーザダイオード及び半導体光増幅器並びにそれらの製造方法
半導体素子及びその製造方法
不均一な量子ドットを有する半導体積層構造、それを用いた発光ダイオード、半導体レーザダイオード及び半導体光増幅器並びにそれらの製造方法

書籍 (12件)：

エピタキシーの基礎(薄膜ハンドブック第2版)
オーム社 2008
付録C CTR散乱強度に関する補足(X線反射率法入門)
2007
X線反射率法の拡張(2)ブラッグ点回りのX線反射率法(X線反射率法入門)
2007
電気的評価の基礎と実践(結晶工学の基礎-結晶工学スクールテキスト第8版)
2006
電気的評価の基礎と実践(結晶工学の基礎-結晶工学スクールテキスト第7版)
2004

Works (10件)：

スピン偏極パルスTEMの開発とナノスピン解析への応用
2009 - 2013
実用三次元スピン回転偏極電子ビーム装置
2010 - 2012
生体透過率の極めて高い小型広帯域光源の開発
2009 - 2011
局所構造制御による鉄砒素超伝道薄膜の物性制御基盤技術の構築
2008 - 2011
真のヘテロ界面構造とその形成
2006 - 2010

学歴 (4件)：

- 1977 京都大学工学研究科電子工学専攻
- 1977 京都大学
- 1972 京都大学工学部電子工学科
- 1972 京都大学

学位 (1件)：

工学博士 (京都大学)

経歴 (17件)：

2021/04 - 現在公益財団法人科学技術交流財団あいちシンクロトロン光センター特別フェロー、名誉所長
2012/04 - 2021/03 公益財団法人科学技術交流財団あいちシンクロトロン光センター所長
2012/06 - 公益財団法人名古屋産業科学研究所研究部上席研究員
2007/04 - 2012/03 名古屋大学シンクロトロン光研究センターセンター長
2007 - 2010 Nagoya University Synchrotron Radiation Research Center, Director

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委員歴 (11件)：

2010 - 2012 日本放射光学会評議員
2010 - 2012 日本結晶成長学会会長
2006 - 2010 日本結晶成長学会編集委員長
2006 - 2010 Japanese Association of Crystal Growth Editor
2004 - 2009 応用物理学会評議員

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受賞 (11件)：

2024 - 日本結晶成長学会功績賞
2024 - 日本結晶成長学会業績賞及び赤勇賞
2016 - 未踏科学技術協会超伝導科学技術賞
2015 - 日本真空学会真空学会誌賞
2015 - 情報処理学会論文賞

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所属学会 (9件)：

日本金属学会 , 米国物理学会 , IEEE , 電子情報通信学会 , 日本放射光学会 , 日本結晶成長学会 , 応用物理学会 , Japanese Association of Crystal Growth , The Japan Society of Applied Physics

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竹田 美和

竹田美和