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J-GLOBAL ID：200902208416273636   整理番号：07A1007523

HVPE法によるGaN基板上高品質Al_xGa_1-xN成長

著者 (8件)： 村上尚 (東京農工大 大学院工学府) ,  佐藤史隆 (東京農工大 大学院工学府) ,  秋山和博 (東京農工大 大学院工学府) ,  武藤弘 (東京農工大 大学院工学府) ,  柴田克幸 (東京農工大 大学院工学府) ,  山下宗修 (東京農工大 大学院工学府) ,  熊谷義直 (東京農工大 大学院工学府) ,  纐纈明伯 (東京農工大 大学院工学府)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 68th  号： 1  ページ： 383  発行年： 2007年09月04日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,...
準シソーラス用語： *HVPE

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： HVPE ,  GaN ,  高品質 ,  成長