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J-GLOBAL ID：200902208464104161   整理番号：09A0408261

4H-SiC接合障壁Schottkyデバイス中の三角形欠陥の電気的及び構造的研究

Electrical and structural investigation of triangular defects in 4H-SiC junction barrier Schottky devices

著者 (3件)： BERECHMAN R. A. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Carnegie Mellon Univ., 5000 Forbes Avenue, Pittsburgh, Pennsylvania 15213, USA) ,  SKOWRONSKI M. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Carnegie Mellon Univ., 5000 Forbes Avenue, Pittsburgh, Pennsylvania 15213, USA) ,  ZHANG Q. (Cree Inc., 4600 Silicon Drive, Durham, North Carolina 27703, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 105  号： 7  ページ： 074513  発行年： 2009年04月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC接合障壁Schottkyデバイス中の三角形状欠陥の構造と影響を調べた。このため,電流-電圧測定,赤外顕微鏡法,電子線誘起電流,エレクトロルミネセンス(EL),透過電子顕微鏡法を用いた。逆バイアス下でのデバイスの熱線像(赤外像)では三角形欠陥の位置にホットスポットが検出された。EL像からはp-n接合近くの三角形欠陥のそばの漏れ電流箇所が特定された。三角形欠陥は,4H-SiC母体中に埋め込まれた3C-SiCの微小板(1μm厚)からなっていた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  漏れ電流 ,  赤外線画像 ,  エレクトロルミネセンス ,  電子顕微鏡観察 ,  電子線誘起電流 ,  *格子欠陥 ,  ポリタイプ

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  障壁 ,  三角形 ,  欠陥 ,  研究