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J-GLOBAL ID：200902208594701900   整理番号：09A0844961

低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F²クロスポイント型相変化メモリ

Cross-point phase change memory with 4F² cell size driven by low-contact-resistivity poly-Si diode

著者 (12件)： 笹子佳孝 (日立 中研) ,  木下勝治 (日立 中研) ,  森川貴博 (日立 中研) ,  黒土健三 (日立 中研) ,  半澤悟 (日立 中研) ,  峰利之 (日立 中研) ,  島明生 (日立 中研) ,  藤崎芳久 (日立 中研) ,  久米均 (日立 中研) ,  守谷浩志 (日立 機械研) ,  高浦則克 (日立 中研) ,  鳥居和功 (日立 中研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 109  号： 133(SDM2009 97-116)  ページ： 79-83  発行年： 2009年07月09日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ポリSiダイオード駆動のクロスポイント型相変化メモリの試作・電気特性評価を行った。低接触抵抗で駆動電流が8MA/cm²以上と大きく,逆バイアスオフ電流が100A/cm²以下と小さい選択素子ポリSiダイオードを低熱負荷プロセスで作製した。開発したポリSiダイオードにより,相変化メモリチップの面積縮小と低コスト化を実現するクロスポイント型4F²相変化メモリセルのセット/リセット動作を可能にした。(著者抄録)

シソーラス用語： *ポリシリコン ,  *ダイオード ,  不揮発性メモリ ,  相転移 ,  熱負荷 ,  *半導体プロセス ,  面積 ,  原価低減 ,  接触抵抗 ,  PRAM【メモリ】 ,  減少 ,  変化
準シソーラス用語： *ポリSiダイオード ,  相変化メモリ ,  低コスト化

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 接触抵抗 ,  ポリSi ,  ダイオード ,  ポイント ,  相変化メモリ