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J-GLOBAL ID：200902208601012962   整理番号：03A0737727

1.49μmにおける低しきい値CW GaInNAsSb/GaAsレーザ

Low-threshold CW GaInNAsSb/GaAs laser at 1.49μm.

著者 (6件)： BANK S R (Stanford Univ., CA, USA) ,  WISTEY M A (Stanford Univ., CA, USA) ,  YUEN H B (Stanford Univ., CA, USA) ,  GODDARD L L (Stanford Univ., CA, USA) ,  HA W (Stanford Univ., CA, USA) ,  HARRIS J S JR (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 39  号： 20  ページ： 1445-1446  発行年： 2003年10月02日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaInNAs(Sb)レーザでは1.2~1.3μmにおけるし...

シソーラス用語： *半導体レーザ ,...
準シソーラス用語： GaInNAsSbレーザ ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： しきい値 ,  CW ,  GaAs ,  レーザ