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J-GLOBAL ID：200902209325308077   整理番号：06A0156916

異なった表面組成のInNのプラズマ支援分子ビームエピタクシーにおけるその場分光偏光解析法

In situ spectroscopic ellipsometry in plasma-assisted molecular beam epitaxy of InN under different surface stoichiometries

著者 (6件)： YOSHITANI Masayoshi (Dep. of Electronics and Mechanical Engineering, Center for Frontier Electronics and Photonics, and InN-Project as a ...) ,  AKASAKA Koichiro (Dep. of Electronics and Mechanical Engineering, Center for Frontier Electronics and Photonics, and InN-Project as a ...) ,  WANG Xinqiang (Dep. of Electronics and Mechanical Engineering, Center for Frontier Electronics and Photonics, and InN-Project as a ...) ,  CHE Song-bek (Dep. of Electronics and Mechanical Engineering, Center for Frontier Electronics and Photonics, and InN-Project as a ...) ,  ISHITANI Yoshihiro (Dep. of Electronics and Mechanical Engineering, Center for Frontier Electronics and Photonics, and InN-Project as a ...) ,  YOSHIKAWA Akihiko (Dep. of Electronics and Mechanical Engineering, Center for Frontier Electronics and Photonics, and InN-Project as a ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 99  号： 4  ページ： 044913-044913-6  発行年： 2006年02月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波プラズマ支援分子ビームエピタクシーによって成長させた異...

シソーラス用語： *MBE成長 ,...
準シソーラス用語： 擬誘電関数

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 表面組成 ,  InN ,  プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー ,  分光偏光解析法