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J-GLOBAL ID：200902209434269189   整理番号：03A0433450

p-n接合シリコン-ゲルマニウムにおけるドーパント移動のXPS分析

XPS Analysis of Dopant Penetration in Joined p-n Silicon-Germanium Semiconductor

著者 (4件)： OTAKE M (Hamamatsu Industrial Res. Inst., Shisuoka) ,  SATO K (Hamamatsu Industrial Res. Inst., Shisuoka) ,  SUGIYAMA O (Fuji Industrial Res. Inst., Shizuoka) ,  KANEKO S (Shizuoka Univ., Shisuoka)
資料名： 日本セラミックス協会学術論文誌  (Journal of the Ceramic Society of Japan)
巻： 111  号： 1294  ページ： 436-438  発行年： 2003年06月01日 
JST資料番号： F0382A  ISSN： 0914-5400  CODEN： JCSJEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p-n接合Si-Ge半導体におけるp-n接合を横切ってのドー...

シソーラス用語： *PN接合 ,...
準シソーラス用語： パルス通電焼結 ,...

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分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  無機物質中の元素の物理分析  (CC03022H)

引用文献 (13件)：

• 1) Iwamoto, T. and Tokita, S., Proc. 17th Int. Conf. on Thermoelectrics, International Thermoelectrics Society (1998) pp. 456-459.
• 2) Noguchi, T., Proc. 16th Int. Conf. on Thermoelectrics, International Thermoelectrics Society (1997) pp. 207-214.
• 3) Shin, W., Murayama, N., Ikeda, K. and Sago, S., Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 39, pp. 1254-1255 (2000).
• 4) Noguchi, T., Masuda, T. and Nitta, J., Proc. 17th Int. Conf. on Thermoelectrics, International Thermoelectrics Society (1998) pp. 406-409.
• 5) Yang, J.Y., Abstr. of Spring Meeting of Japan Soc. of Powd. and Powd. Metall., The Japan Society of Powder and Powder Metallurgy (2000) pp. 198-198.

タイトルに関連する用語 (5件)： p-n接合 ,  シリコン ,  ゲルマニウム ,  ドーパント ,  XPS分析