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J-GLOBAL ID：200902209604376740   整理番号：08A1132073

3次元シリコン集積

Three-dimensional silicon integration

著者 (16件)： KNICKERBOCKER J. U. (Thomas J. Watson Res. Center, New York) ,  ANDRY P. S. (Thomas J. Watson Res. Center, New York) ,  DANG B. (Thomas J. Watson Res. Center, New York) ,  HORTON R. R. (Thomas J. Watson Res. Center, New York) ,  INTERRANTE M. J. (IBM Systems and Technol. Group, New York) ,  PATEL C. S. (Thomas J. Watson Res. Center, New York) ,  POLASTRE R. J. (Thomas J. Watson Res. Center, New York) ,  SAKUMA K. (IBM Tokyo Res. Lab., Kanagawa-ken, JPN) ,  SIRDESHMUKH R. (Thomas J. Watson Res. Center, New York) ,  SPROGIS E. J. (IBM Systems and Technol. Group, Vermont) ,  SRI-JAYANTHA S. M. (Thomas J. Watson Res. Center, New York) ,  STEPHENS A. M. (IBM Res. Div., Texas) ,  TOPOL A. W. (Thomas J. Watson Res. Center, New York) ,  TSANG C. K. (Thomas J. Watson Res. Center, New York) ,  WEBB B. C. (Thomas J. Watson Res. Center, New York) ,  WRIGHT S. L. (Thomas J. Watson Res. Center, New York)
資料名： IBM Journal of Research and Development  (IBM Journal of Research and Development)
巻： 52  号： 6  ページ： 553-569  発行年： 2008年11月 
JST資料番号： D0061B  ISSN： 0018-8646  CODEN： IBMJAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン貫通ビア(TSV,through-silicon-via),極薄シリコン(thinned silicon),微細シリコンツーシリコン相互配線(SSI,silicon-silicon interconnection)を使った3次元(3D)チップスタックと広帯域シリコンパッケージング技術は,多様な技術的構造,材料,プロセスを活用している。これら技術はIBMで10年以上の歴史を持つ。TSV,SSIを含む3D集積は,6桁以上のスケール(10/cm²から 10⁸/cm²)での適用ができ,用途が広い。IBMでは,3Dのテストビークル(プロトタイプ)の設計,製造,組立を行い,特性を評価をして,今後の製品設計のためのモデルや設計指針,プロセスを明らかにした。

シソーラス用語： *半導体集積回路 ,  三次元 ,  半導体チップ ,  広帯域 ,  包装 ,  *半導体プロセス ,  プロトタイプ ,  製品設計 ,  スルーホール ,  配線設計
準シソーラス用語： *3Dシリコン集積 ,  シリコン貫通ビア ,  テストビークル ,  パッケージング

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 3次元 ,  シリコン ,  集積