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J-GLOBAL ID：200902209666915001   整理番号：09A0151309

GaN基板上縦型SBDのFP構造による高耐圧化

Development of High-voltage GaN Schottky Barrier Diode with SiN_x Field Plate Structure

著者 (6件)： 堀井拓 (住友電気工業) ,  宮崎富仁 (住友電気工業) ,  斎藤雄 (住友電気工業) ,  橋本信 (住友電気工業) ,  田辺達也 (住友電気工業) ,  木山誠 (住友電気工業)
資料名： SEIテクニカルレビュー  (住友電気)
号： 174  ページ： 77-80  発行年： 2009年01月 
JST資料番号： F0314A  ISSN： 1343-4330  CODEN： SUDEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaN系半導体は従来のSiパワーデバイスでは困難な高耐圧化と低オン抵抗化の両立が期待されるが,縦型デバイスを実現する低転位GaN基板を用いた縦型SBDに終端構造としてFP構造を適用し大幅な耐圧向上を達成した。FP構造の適用により逆方向バイアス時のリーク電流を効果的に抑制し,FP長の増加により耐圧が増加することを確認した。シミュレーション結果とも一致し,逆方向特性において680Vという値を達成した。順方向特性では非常に低い特性オン抵抗が得られた。特性を性能指数に換算するとV²b/Ron=420MWcm^-2となり,GaN系SBDにおいて世界最高レベルとなった。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  基板 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *電極 ,  電力トランジスタ ,  バンドギャップ ,  *絶縁耐力 ,  転位密度 ,  オン抵抗 ,  電流電圧特性 ,  電界強度 ,  漏れ電流 ,  絶縁破壊 ,  エピタクシー
準シソーラス用語： フィールドプレート

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (8件)：

• K. Joshin et al.: 2003 IEDM Tec. Digest.(2003). p. 983.
• K. Motoki et al.: Jpn. J. Appl. Phys. Vol.40(2001). P. L140.
• S. Hashimoto et al.: J. Cryst. Growth Vol.298(2007). p. 871.
• 田辺他、「GaN基板上AIGaN/GaN構造エピタキシャル成長と評価」応用電子物性分科会誌、第12巻 第1号 (2006) 32
• Z. Z. Bandic et al.: Appl. Phys. Lett. Vol.74(1999), p. 1266.

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  縦型 ,  SBD ,  FP ,  高耐圧