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J-GLOBAL ID：200902122926148443   整理番号：01A0486829

スタート基板としてGaAsを用いた水素化物気相エピタクシーによる大きい自立したGaN基板の作製

Preparation of Large Freestanding GaN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy Using GaAs as a Starting Substrate.

著者 (9件)： MOTOKI K (Sumitomo Electric Ind. Ltd., Hyogo, JPN) ,  OKAHISA T (Sumitomo Electric Ind. Ltd., Hyogo, JPN) ,  MATSUMOTO N (Sumitomo Electric Ind. Ltd., Hyogo, JPN) ,  MATSUSHIMA M (Sumitomo Electric Ind. Ltd., Hyogo, JPN) ,  KIMURA H (Sumitomo Electric Ind. Ltd., Hyogo, JPN) ,  KASAI H (Sumitomo Electric Ind. Ltd., Hyogo, JPN) ,  KUMAGAI Y (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  KOUKITU A (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  SEKI H (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40  号： 2B  ページ： L140-L143  発行年： 2001年02月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂マスクパターンを持つGaAs(...

シソーラス用語： 基板 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (17件)：

• 1) H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: Appl. Phys. Lett. 48 (1986) 353.
• 2) S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L1705.
• 3) S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L1332.
• 4) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 211.
• 5) M. Kuramoto, C. Sasaoka, Y. Hisanaga, A. Kimura, A. A. Yamaguchi, H. Sunakawa, N. Kuroda, M. Nido, A. Usui and M. Mizuta: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L184.

タイトルに関連する用語 (6件)： スタート ,  GaAs ,  水素化物気相エピタクシー ,  自立 ,  GaN ,  作製