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J-GLOBAL ID：200902209728350251   整理番号：04A0212193

Si(111)基板上のオンチップMOSFET付きマイクロSiプローブ電極アレイの選択的気相-液相-固相エピタキシャル成長

Selective Vapor-Liquid-Solid Epitaxial Growth of Micro-Si Probe Electrode Arrays With On-Chip MOSFETs on Si(111) Substrates

著者 (6件)： KAWANO T (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  KATO Y (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  TANI R (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  TAKAO H (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  SAWADA K (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  ISHIDA M (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 51  号： 3  ページ： 415-420  発行年： 2004年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題のプローブアレイの作製方法を報告した。マイクロSiプロー...

シソーラス用語： *マイクロプローブ ,...
準シソーラス用語： *平面アレイ

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： Si ,  オンチップ ,  MOSFET ,  マイクロ ,  プローブ ,  電極アレイ ,  気相 ,  液相 ,  固相エピタキシャル成長