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J-GLOBAL ID：200902209756751458   整理番号：06A0197210

真空蒸発とIBIECによって形成したSi/Ge多重層

Si/Ge multilayers formed by vacuum evaporation and IBIEC

著者 (4件)： KAWAKITA K. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  MOROZUMI K. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  IIZUKA T. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO Y. (Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement  (Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号： 24  ページ： 21-24  発行年： 2006年03月 
JST資料番号： L0263A  ISSN： 0914-2908  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 5層と20層のSi/Ge膜を交互にSi(100)基板上に,3...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 真空蒸発 ,  Si ,  Ge ,  多重層