文献

J-GLOBAL ID：200902209845993384   整理番号：08A0476796

InAlN/GaN HEMTの障壁層スケーリング

Barrier-Layer Scaling of InAlN/GaN HEMTs

著者 (8件)： MEDJDOUB F. (Univ. Ulm, Ulm, DEU) ,  ALOMARI M. (Univ. Ulm, Ulm, DEU) ,  CARLIN J.-F. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (FPFL), Lausanne, CHE) ,  GONSCHOREK M. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (FPFL), Lausanne, CHE) ,  FELTIN E. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (FPFL), Lausanne, CHE) ,  PY M. A. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (FPFL), Lausanne, CHE) ,  GRANDJEAN N. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (FPFL), Lausanne, CHE) ,  KOHN E. (Univ. Ulm, Ulm, DEU)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 29  号： 5  ページ： 422-425  発行年： 2008年05月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ミリ波領域ではゲート長100nm以下のGaAsまたはInPベースHEMTが使われるが,ブレークダウンによってパワーが制限される。AlGaN/GaN MISHEMTやAlN/GaN MISHEMTなどが高電流レベルを達成しているが製作が難しい。3nmから33nm厚のIn_0.17Al_0.83Nを障壁層とし,サファイア基板にMOCVDで成長させたIn_0.17Al_0.83N/GaN HEMTの特性を調べた。最大ドレイン電流(V_G=+2.0V)は障壁厚さの減少に伴って減少した。さらに障壁厚さが極薄3nmのInAlN/GaNデバイスを1000°Cまで評価したが,ヘテロ構造とコンタクトは非常に安定であった。

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  *HEMT ,  マイクロ波 ,  インジウム合金 ,  アルミニウム含有合金 ,  窒化物 ,  *スケーリング【計数】 ,  被覆層 ,  *拡散障壁 ,  ゲート【半導体】 ,  基板 ,  素子構造 ,  MOCVD ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  障壁層 ,  ヘテロ構造

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAlN ,  GaN ,  HEMT ,  障壁層 ,  スケーリング