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J-GLOBAL ID：200902209910537111   整理番号：07A1151969

窒化リチウムとガリウムとの反応によるGaN結晶の作製

Preparation of GaN Crystals by a Reaction of Ga with Li₃N

著者 (4件)： 馬淵彰 (岐阜大 大学院工学研究科) ,  平野隆義 (岐阜大 大学院工学研究科) ,  杉浦隆 (岐阜大 大学院工学研究科) ,  箕浦秀樹 (岐阜大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 107  号： 253(LQE2007 57-79)  ページ： 103-107  発行年： 2007年10月04日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 窒化リチウム(Li₃N)とガリウム(G...

シソーラス用語： ガリウム化合物 ,...
準シソーラス用語： GaN

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒化リチウム ,  ガリウム ,  GaN ,  結晶 ,  作製