文献

J-GLOBAL ID：200902210385291236   整理番号：05A0095614

5.8GHz帯低電圧駆動SiGe-HBT電力増幅器の基礎検討

Investigation of 5.8 GHz-Band SiGe HBT Power Amplifier with Low Voltage Supply

著者 (4件)： 板垣芳夫 (東芝 研究開発セ) ,  小野直子 (東芝 研究開発セ) ,  千住智博 (東芝) ,  山口恵一 (東芝 研究開発セ)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 A  (IEICE Transaction on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences (Japan Edition))
巻： J88-A  号： 2  ページ： 297-303  発行年： 2005年02月01日 
JST資料番号： S0621A  ISSN： 0913-5707  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 5.8GHz帯電力増幅器(PA)に,Si系デバイスを用い,更...

シソーラス用語： *電力増幅器 ,...
準シソーラス用語： 高度道路交通システム ,...

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分類 (1件)： 移動通信  (ND08030H)

引用文献 (11件)：

• YAMAMOTO, S. A 1chip RF transceiver MMIC for ETC with surface via-hole isolation technique. 2001 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium Digest. 2001, 195-198
• 池田佳子. 5.8GHz帯ETC向け GaAsMESFETパワーアンプ. 2000信学ソ大. 2000, 62
• MURASE, M. Multi-chip transmitter/receiver module using high dielectric substrates for 5.8GHz ITS applications. 1999 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, June. 1999, 211-214
• SHINJO, S. High P1dB and low quiescent current SiGe HBT power amplifier MMIC using self bias control circuit for 5.8GHz ETC terminals. 2003 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium Digest, June. 2003, 195-198
• 鴨川健司. 5GHz帯Si3次元マスタスライスMMICトランシーバ. 1998信学ソ大. 1998, 72

タイトルに関連する用語 (5件)： 低電圧駆動 ,  SiGe ,  HBT ,  電力増幅器 ,  基礎