文献

J-GLOBAL ID：200902210444653120   整理番号：04A0593632

10kV,123mΩ・cm²の4H-SiCパワーDMOSFET

10-kV, 123-mΩcm² 4H-SiC Power DMOSFETs

著者 (7件)： RYU S-H (Cree, Inc., NC, USA) ,  KRISHNASWAMI S (Cree, Inc., NC, USA) ,  O’LOUGHLIN M (Cree, Inc., NC, USA) ,  RICHMOND J (Cree, Inc., NC, USA) ,  AGARWAL A (Cree, Inc., NC, USA) ,  PALMOUR J (Cree, Inc., NC, USA) ,  HEFNER A R (National Inst. Standards and Technol., MD, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 25  号： 8  ページ： 556-558  発行年： 2004年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiCを用いたパワーMOSFETは,オン状態比抵抗が低...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0593632&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0344B") }}

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 4H-SiC ,  パワー ,  DMOSFET