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J-GLOBAL ID：200902210541151237   整理番号：08A0921309

電界援用ガラス溶融を用いたSiマイクロ構造のボンディング

Bonding of a Si microstructure using field-assisted glass melting

著者 (4件)： SEKI Hironori (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ONO Takahito (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KAWAI Yusuke (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ESASHI Masayoshi (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 18  号： 8  ページ： 085003,1-5  発行年： 2008年08月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラスの局所溶融現象を用いた新しいマイクロ組み立て技術を示した。チップと電極を有するマイクロ片持ち梁を,ガラス基板上に組み立てできる。チップを,20nm厚みのCrで被覆したガラスと接触させ,数Vの電圧を,片持ち梁とガラス間に加えた。その結果,チップの近傍のガラスが溶融した。高い電界によりCr原子がガラス基板に移動し,融点を下げると考えられる。この溶融現象を利用して,マイクロ構造をボンディングし,ガラス基板上に組み立てできる。この技術は,デバイスのプロトタイプを作るためにガラス基板上に複雑な三次元マイクロ構造の高精度マイクロ組み立てを実現する潜在能力を有している。

シソーラス用語： *ボンディング【IC】 ,  電場 ,  ガラス ,  融解 ,  *ケイ素 ,  *微細構造 ,  組立 ,  片持梁 ,  電極 ,  基板 ,  電気装置部品 ,  クロム ,  メタライゼーション ,  三次元 ,  プロトタイプ ,  固体素子 ,  ガラス基板 ,  行為
準シソーラス用語： 超小型デバイス

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電界 ,  援用 ,  ガラス溶融 ,  Si ,  マイクロ構造 ,  ボンディング