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J-GLOBAL ID：200902210632762034   整理番号：08A0466567

GIXS法によるAl/MoおよびCu/Mo二層膜の断面内部応力分布測定

Measurement of Internal Stress Distribution with Depth in Al/Mo and Cu/Mo Bilayer Films Using a GIXS Method

著者 (2件)： 朝比康裕 (法政大学工学部システム制御工学科) ,  高山新司 (法政大学工学部システム制御工学科)
資料名： 日本金属学会誌  (Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)
巻： 72  号： 5  ページ： 323-330 (J-STAGE)  発行年： 2008年 
JST資料番号： G0023A  ISSN： 0021-4876  CODEN： NIKGAV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 多層膜配線において,内部応力緩和によるストレスマイグレーションに起因するヒロックやボイドの熱欠陥形成は大きな問題である。膜断面の厚さ方向の応力分布測定として低角入射X線回折法(GIXS法)による測定を提案した。本報告では,DCマグネトロン法を用いて成膜したAl/Mo,Cu/Mo二層膜の深さ方向の内部応力分布をGIXS法(In-Plane回折法)で測定した。Al/Mo,Cu/Mo二層膜とも界面付近で大きな局所的な応力段差が生じていることが明らかになった。400°Cでの熱処理後,Al/Mo二層膜では応力が大きく緩和されたのに対し,Cu/Mo二層膜では界面側から基板側にわたって応力勾配がわずかに大きくなる程度で顕著な応力緩和は示さなかった。

シソーラス用語： *多層配線 ,  アルミニウム ,  モリブデン ,  銅 ,  多層 ,  *内部応力 ,  応力分布 ,  *X線応力測定 ,  すれすれ入射 ,  マグネトロンスパッタリング ,  深さ分布 ,  応力緩和 ,  熱処理 ,  勾配 ,  入射角 ,  角度依存性 ,  温度依存性
準シソーラス用語： 二層構造 ,  応力勾配

分類 (2件)： 金属材料  (HC02020X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (13件)：

• 1) I. K. Schuller and A. Rahman: Phys. Rev. Lett. 50(1983) 1377-1379.
• 2) B. M. Clemens and G. L. Eesley: Phys. Rev. Lett. 61(1988) 2356-2359.
• 3) W. D. Nix: Met. Trans. A. 20A(1989) 2217-2245.
• 4) B. M. Clemens, J. A. Bain, A. P. Payne, T. C. Hufnacel and S. M. Brennan: Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 239(1991) 476-487.
• 5) S. Sato, M. Saito, E. Matsubara, Y. Waseda and K. Inomata: Mat. Trans. JIM 39(1998) 557-561.

タイトルに関連する用語 (6件)： Al ,  Mo ,  Cu ,  二層膜 ,  内部応力 ,  分布