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J-GLOBAL ID：200902210636196750   整理番号：08A0894773

n-GaNの反応性イオンエッチング損傷とそのポストエッチ処理による回復

Reactive ion etching damage in n-GaN and its recovery by post-etch treatment

著者 (1件)： KIM H. (LG Electronics Inst. Technol., Seocho-Gu, KOR)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 44  号： 17  ページ： 1037-1039  発行年： 2008年08月14日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN系の材料は発光素子や高出力,高温,高周波素子へのアプリケーションが期待されている。GaNは化学的安定性の問題から一般に反応性イオンエッチング(RIE)で加工されるが,このときエッチング損傷により素子の電気的性能や光学的性能が劣化する。本稿では,RIEによるエッチング損傷とそのポストエッチ処理による回復について報告した。RIEエッチングにより整流電流電圧特性が劣化し,界面準位密度が増加した。高速熱アニーリングとKOH処理によるポストエッチ処理により整流電流電圧特性が改善され,界面準位密度が低減された。この結果から,GaN素子の製作においてこのポストエッチ処理が有効であることが確認できた。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  固体素子 ,  *発光ダイオード ,  *RIE【エッチング】 ,  電流電圧特性 ,  表面準位 ,  *RTA【熱処理】 ,  後処理
準シソーラス用語： GaN ,  ポストエッチ処理 ,  界面準位 ,  高速熱アニーリング ,  発光素子 ,  反応性イオンエッチング

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  反応性イオンエッチング ,  損傷 ,  エッチ ,  回復