文献

J-GLOBAL ID：200902211064566159   整理番号：08A1022053

シングルスタックチップの熱抵抗測定とモデリングからの三次元(3D)チップスタックの熱抵抗の研究

Investigation of the thermal resistance of a three-dimensional (3D) chip stack from the thermal resistance measurement and modeling of a single-stacked-chip

著者 (4件)： MATSUMOTO Keiji (IBM Tokyo Res. Lab., Kanagawa-ken, JPN) ,  SAKUMA Katsuyuki (IBM Tokyo Res. Lab., Kanagawa-ken, JPN) ,  YAMADA Fumiaki (IBM Tokyo Res. Lab., Kanagawa-ken, JPN) ,  TAIRA Yoichi (IBM Tokyo Res. Lab., Kanagawa-ken, JPN)
資料名： International Conference on Electronics Packaging  (International Conference on Electronics Packaging)
巻： 2008  ページ： 478-483  発行年： 2008年 
JST資料番号： L6010A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ミクロンスケールモデルを用いて,各種接合ピッチと直径をもつシリコン基板の熱抵抗をモデル化し,接合ピッチと直径への熱抵抗の依存性を研究した。さらに,定常状態熱抵抗測定とモデリングを組み合わせることにより,200μmピッチCuSn接合の熱抵抗を実験的に得た。得られた熱抵抗は,0.03~0.05°Ccm²/Wであった。この結果を用いて,三層の200μmピッチCuSn接合を有する四層のシリコン基板の熱抵抗を計算した。計算値は0.128~0.188°Ccm²/Wであった。

シソーラス用語： *半導体チップ ,  高密度実装 ,  三次元 ,  *熱抵抗 ,  ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  積層構造 ,  相互接続 ,  銅化合物 ,  スズ化合物 ,  ボンディング【IC】 ,  サンドイッチ構造 ,  *集積回路

分類 (2件)： 集積回路一般  (NC03161C) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 熱抵抗測定 ,  モデリング ,  3D ,  スタック ,  熱抵抗 ,  研究