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J-GLOBAL ID：200902211177164596   整理番号：08A1145477

電子後方散乱回折と共焦点Raman顕微鏡を用いた歪と応力のナノスケール測定比較

Comparison of nanoscale measurements of strain and stress using electron back scattered diffraction and confocal Raman microscopy

著者 (4件)： VAUDIN Mark D. (Ceramics Div., National Inst. of Standards and Technol., Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  GERBIG Yvonne B. (Ceramics Div., National Inst. of Standards and Technol., Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  STRANICK Stephan J. (Surface and Microanalysis Sci. Div., National Inst. of Standards and Technol., Gaithersburg, Maryland 20899, USA) ,  COOK Robert F. (Ceramics Div., National Inst. of Standards and Technol., Gaithersburg, Maryland 20899, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 19  ページ： 193116  発行年： 2008年11月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 10Mpaの小さなSi中応力を,空間分解能10nmと100nmの電子後方散乱回折(EBSD)と共焦点Raman顕微鏡(CRM)を用いてそれぞれ測定した。両技術において,データは(001)SiへのV字形押込で集めた。EBSDは応力と歪テンソルを測定し,CRMは一軸応力を測定した。結果は,表面敏感EBSD結果が大きな応力を示す,押込近くを除いて非常によく一致した。結果は,CRMレーザ励起波長を減少して,より浅い深さを調べるときに,収束した。応力プロフィルは,Eshelby分析によって予測される逆二乗べき則と一致している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電子回折 ,  後方散乱 ,  共焦点顕微鏡 ,  *Raman散乱 ,  *歪 ,  *応力 ,  *計測 ,  ケイ素 ,  空間分解能 ,  押込 ,  表面 ,  レーザ励起 ,  波長 ,  収束 ,  深さ ,  べき
準シソーラス用語： ナノスケール

分類 (3件)： 弾性力学一般  (HC02010M) ,  電子回折法  (BK01030T) ,  赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル一般  (BM08061U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子後方散乱回折 ,  共焦点Raman顕微鏡 ,  歪 ,  応力 ,  ナノスケール