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J-GLOBAL ID：200902211203045860   整理番号：09A0051194

電流注入によるGaN系垂直共振器形面発光レーザ(VCSEL)の室温連続波レーザ発振

Room-Temperature CW Lasing of a GaN-Based Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser by Current Injection

著者 (4件)： HIGUCHI Yu (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  OMAE Kunimichi (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  MATSUMURA Hiroaki (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  MUKAI Takashi (Nichia Corp., Tokushima, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 1  号： 12  ページ： 121102.1-121102.3  発行年： 2008年12月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電流注入によるGaN系垂直共振器形面発光レーザ(VCSEL)の室温連続波レーザ発振を実証した。VCSELの活性層は二対のInGaN/GaN量子井戸活性層からなる。光学空洞は7λ厚のGaN半導体層と二枚のSiO₂/Nb₂O₅誘電体分布Bragg反射器の間に埋込んだp接触用の酸化インジウム錫(ITO)層からなる。VCSELはウエハ接着によりSi基板上に取付け,サファイア基板はレーザリフトオフで除去した。8μm開口素子の連続波動作の閾値電流は7.0mA,発光波長は約414nmであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  *化合物半導体 ,  半導体材料 ,  注入 ,  *垂直共振器形面発光レーザ ,  *連続レーザ ,  レーザ発振 ,  量子井戸 ,  反射器 ,  酸化インジウムスズ ,  電流 ,  閾値電流
準シソーラス用語： 電流注入 ,  VCSEL ,  分布Bragg反射器

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (9件)：

• SOMEYA, T. Science. 1999, 285, 1905
• SONG, Y.-K. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1662
• TAWARA, T. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 830
• WANG, S. C. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, 5397
• SONG, Y.-K. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 1744

タイトルに関連する用語 (6件)： 電流注入 ,  GaN ,  垂直共振器形面発光レーザ ,  VCSEL ,  室温 ,  連続波レーザ