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J-GLOBAL ID：200902211275255354   整理番号：09A1072492

横方向酸素化プロセスを用いたHfO₂/TiN/ポリSiゲートスタックによるpFET V_t制御

pFET V_t control with HfO₂/TiN/poly-Si gate stack using a lateral oxygenation process

著者 (15件)： CARTIER E. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA) ,  STEEN M. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA) ,  LINDER B.P. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA) ,  ANDO T. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA) ,  IIJIMA R. (Toshiba America Electronic Components, Inc.) ,  FRANK M. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA) ,  NEWBURY J.S. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA) ,  KIM Y.H. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA) ,  MCFEELY F.R. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA) ,  COPEL M. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA) ,  HAIGHT R. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA) ,  CHOI C. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA) ,  CALLEGARI A. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA) ,  PARUCHURI V.K. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA) ,  NARAYANAN V. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center(SRDC), NY, USA)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2009  ページ： 36-37  発行年： 2009年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近公表された最新のメタルゲート/高k CMOS技術が,異なる有効仕事関数のメタルゲート電極の利用を必要としている。本稿では,横方向酸素化プロセスを用いたHfO₂/TiN/ポリSiゲートスタックによるpFET閾値電圧(V_t)制御を報告した。ポリSi/TiN/HfO₂ゲートスタックの酸素空格子点濃度が,高温度CMOSプロセス中に容易に調節し,pFET V_t制御を複雑にすることを示した。しかし,ゲートスタックの欠陥濃度が,S/D活性化後のゲートスタック側壁上の酸素化により調節され,バンド端近傍の完全集積pFETを生じることを示した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  電圧 ,  *酸素化 ,  横方向 ,  *ゲート【半導体】 ,  空格子点 ,  半導体プロセス ,  CMOS構造 ,  *電圧制御 ,  誘電材料 ,  *誘電体薄膜
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  ゲートスタック ,  メタルゲート ,  高k材料 ,  酸素空格子点 ,  *閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 横方向 ,  酸素化 ,  プロセス ,  HfO2 ,  TiN ,  ポリSi ,  ゲートスタック ,  VT