文献

J-GLOBAL ID：200902211332869437   整理番号：04A0462988

ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM

Impact of Actively Body-bias Controlled (ABC) SOI SRAM for Low-Voltage and High-Speed Operation

著者 (7件)： 平野有一 (ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部) ,  一法師隆志 (ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部) ,  新居浩二 (ルネサステクノロジ 設計基盤開発部) ,  塚本康正 (ルネサステクノロジ 設計基盤開発部) ,  前川繁登 (ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部) ,  犬石昌秀 (ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部) ,  大路譲 (ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部)
資料名： 電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EDD-04  号： 38-47  ページ： 31-34  発行年： 2004年03月04日 
JST資料番号： Z0910A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 新しい情報通信サービスの大容量化に対応でき,長時間バッテリー...

シソーラス用語： *MOS集積回路 ,...

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分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (5件)：

• HIRANO, Y. IEDM Tech. Dig., 2000. 2000, 467
• THOMPSON, S. IEDM Tech. Dig., 2002. 2002, 61
• COLINGE, J. P. IEEE Trans. Electron Devices. 1987, 34, 845
• ASSADERAGHI, F. IEDM Tech. Dig., 1994. 1994, 809
• HIRANO, Y. IEDM Tech. Dig., 2003. 2003, 35

タイトルに関連する用語 (7件)： ボディ ,  電位制御 ,  低電圧 ,  高速動作 ,  ABC ,  SOI ,  SRAM