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J-GLOBAL ID：200902211635862940   整理番号：03A0507016

デジタルマイクロエレクトロニクスにおけるシングルイベントアップセットの基本メカニズムとモデリング

Basic Mechanisms and Modeling of Single-Event Upset in Digital Microelectronics

著者 (2件)： DODD P E (Sandia National Lab., NM, USA) ,  MASSENGILL L W (Vanderbilt Univ., TN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 50  号： 3,Pt.3  ページ： 583-602  発行年： 2003年06月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSデバイスと集積回路に重点を置いて,デジタルマイクロエレ...

シソーラス用語： マイクロエレクトロニクス ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (5件)： デジタル ,  マイクロエレクトロニクス ,  シングルイベントアップセット ,  メカニズム ,  モデリング