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J-GLOBAL ID：200902211798308095   整理番号：09A0994954

GaAsBi/GaAs超格子のMBE成長とBiの単独照射の光学的特性

著者 (3件)： 石川智貴 (愛大 院) ,  山口大輔 (愛大 院) ,  下村哲 (愛大 院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 1  ページ： 299  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化物 ,  *ガリウム化合物 ,  *ビスマス化合物 ,  *ヒ化ガリウム ,  *人工超格子 ,  MBE成長 ,  *イオン照射 ,  *ビスマス ,  光学的性質 ,  偏析 ,  物質流束 ,  *光ルミネセンス ,  化合物半導体

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAsBi ,  GaAs ,  超格子 ,  MBE成長 ,  BI ,  光学的特性