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J-GLOBAL ID：200902211939764111   整理番号：03A0542481

パルスレーザアブレーションによって生成した粒径選択ナノ粒子堆積によるシリコンナノ構造薄膜の作製

Fabrication of silicon nanostructured films by deposition of size-selected nanoparticles generated by pulsed laser ablation

著者 (4件)： SETO T (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  ORII T (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  HIRASAWA M (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  AYA N (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 437  号： 1/2  ページ： 230-234  発行年： 2003年08月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 粒径を制御したシリコンナノ粒子から成るナノ構造薄膜をヘリウム...

シソーラス用語： 半導体薄膜 ,...
準シソーラス用語： 微分移動度分析器

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (8件)： パルスレーザアブレーション ,  粒径 ,  ナノ粒子 ,  堆積 ,  シリコン ,  ナノ構造 ,  薄膜 ,  作製