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J-GLOBAL ID：200902212427466450   整理番号：04A0418772

銀メタライゼーションのための酸窒化タンタル薄膜の拡散障壁及び電気的性質の評価

Evaluation of diffusion barrier and electrical properties of tantalum oxynitride thin films for silver metallization

著者 (4件)： MISRA E (Arizona State Univ., AZ, USA) ,  WANG Y (Arizona State Univ., AZ, USA) ,  THEODORE N D (Arizona State Univ., AZ, USA) ,  ALFORD T L (Arizona State Univ., AZ, USA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 457  号： 2  ページ： 338-345  発行年： 2004年06月15日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銀(Ag)とシリコン(Si)p⁺nダイ...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 酸窒化タンタル

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分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 銀 ,  メタライゼーション ,  酸窒化タンタル ,  薄膜 ,  拡散障壁 ,  電気的性質 ,  評価