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J-GLOBAL ID：200902212500735464   整理番号：04A0094360

キャリア分離法を用いた,金属ゲート電極を有する高-K誘電体中の電荷捕獲と絶縁破壊メカニズムの解析

Analysis of Charge Trapping and Breakdown Mechanism in High-K Dielectrics with Metal Gate Electrode using Carrier Separation

著者 (7件)： LOH W Y (National Univ. Singapore, Singapore) ,  CHO B J (National Univ. Singapore, Singapore) ,  JOO M S (National Univ. Singapore, Singapore) ,  LI M F (National Univ. Singapore, Singapore) ,  CHAN D S H (National Univ. Singapore, Singapore) ,  MATHEW S (Inst. Microelectronics, Singapore) ,  KWONG D-L (Univ. Texas, TX, USA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2003  ページ： 927-930  発行年： 2003年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶え間の無いデバイスの微細化に伴って,適当なゲート制御が得ら...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： 高誘電率誘電体 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： キャリア ,  分離法 ,  ゲート電極 ,  高 ,  誘電体 ,  電荷捕獲 ,  絶縁破壊 ,  メカニズム ,  解析